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Advanced Electronic Materials

07 September 2020

TiO2 ナノワイヤベースのメモリスタにおけるプラズマ誘起酸素欠損によるサイレントシナプス活性化

Xuanyu Shan, Zhongqiang Wang,Ya Lin, Tao Zeng, Xiaoning Zhao, Haiyang Xu,and Yichun Liu

10.1002/aelm.202000536

品番で 2000536 Zhongqiang Wang、Haiyang Xu、Yichun Liu、および共同研究者らは、TiO2 ナノワイヤベースのメモリスタでのプラズマ処理によって、サイレント シナプスから機能的シナプスへの活性化を実証しました。元のデバイスはシナプス可塑性のないサイレントシナプスとして機能し、プラズマ処理されたデバイスは機能的なシナプスを模倣し、人工シナプスの可塑性を拡張するのに有益です。